晶体管导通就像开关被按下一样突然电流会从集电极"冲"到发射极这时候导通电阻变得非常低通常在几毫欧到几十毫欧之间比如2N2222型晶体管在饱和导通时电阻大约是10毫欧这样在5V电压下流过1A电流功耗只有50毫瓦。当基极电流足够大时PN结会形成"导电路径"让大部分电流直接通过导通电阻就像用铁丝代替铜丝连接两块金属板电阻自然就小了。

因为晶体管导通电阻低是设计出来的结果所以需要看具体参数比如结深越浅载流子扩散越容易导通电阻就越小现在常见硅基晶体管结深控制在0.3微米左右比早期产品减少80%典型导通电阻从100毫欧降到20毫欧。根据半导体物理公式导通电阻R=1/(qνnμ)其中q是电子电荷1.6e-19C ν是载流子密度假设1e16cm-3 μ是迁移率1500cm²/(V·s)代入计算得出R≈0.8毫欧。实际测试发现2N7000晶体管在10V供电下导通电阻稳定在3.5-5.2毫欧功耗约35-50毫瓦。不过要注意如果基极电流不足比如只有0.1mA时导通电阻会突然变大到几百欧姆就像开关没完全闭合那样。