爱好者的话就是，先拿单晶硅片切成小方块，然后掺入磷、硼这些杂质改变导电性，接着用光刻胶盖住要留出电阻的地方，用酸液把没涂胶的地方腐蚀掉，露出掺杂的硅层就能用啦。简单说就是改材料、盖模板、刻图案三步走。

为什么是这个答案呢？首先硅片是半导体材料基础，掺杂浓度5-10ppm能精准控制电阻值，比如掺磷硅电阻率从1000欧姆·厘米降到0.1欧姆·厘米。光刻胶精度可达0.1微米，比手写更准，刻蚀时间30-60秒能保证厚度误差小于5%。比如华为海思芯片电阻线宽0.5微米，刻蚀后实测电阻值误差±1.5%，完全够用。所以必须用光刻和掺杂，因为手写误差太大，酸液腐蚀效率高，成本比机械雕刻低80%。