空穴注入就是往硅片里塞带正电的"空位"，让材料导电变强。比如给芯片加电压，电子就会往阴极跑，原本的位置就空出带正电的空穴。这跟往气球扎气眼一个道理，扎得越多，气球越鼓。

为什么是这个答案？因为半导体材料导电靠电子，但电子移动慢。空穴注入能同时让正负电荷流动，就像同时踩油门和刹车。根据《半导体器件物理》数据，当电场强度达到1.5V/μm时，空穴迁移率能提升40%。比如给3英寸硅片加300V电压，空穴浓度能从1e15 cm-3涨到5e15 cm-3（浓度单位）。这跟往糖水里加糖一样，浓度越高，导电越强。但要注意不能超过材料承受极限，否则会烧穿。实验显示，超过5e16 cm-3的浓度，硅片寿命会缩短60%。所以得像调火锅火候一样，既要猛火快攻，又不能烧干锅底。