要突破芯片困境得从三方面入手：材料升级、工艺创新、设计优化。比如用碳化硅替代硅片，能让芯片散热更好；7纳米以下工艺得靠光刻机进步；国产替代得靠企业联合攻关。现在国内长江存储做出了232层3D NAND闪存，中芯国际14纳米良品率超90%，这些都是突破点。

为什么得这么干呢？因为美国限制EUV光刻机出口，国内得自己造。虽然中芯国际的14纳米良品率从30%提升到85%，但7纳米量产还差三年（台积电7纳米良品率98%）。材料方面，碳化硅功率芯片已用在华为基站，成本比硅基低40%。设计上，华为麒麟9000用自研架构，性能比骁龙888强15%。大前年国内芯片研发投入超5000亿，但光刻胶等关键材料仍依赖进口。所以得材料、工艺、设计同步突破，才能摆脱卡脖子问题。比如长江存储的232层3D NAND闪存，虽然良品率只有70%，但已经用在小米手机，说明国产替代能逐步推进。