芯片读取信息主要是靠电路检测电流变化来实现的。比如内存条里的存储单元，通过电压高低判断是0还是1。当电脑开机时，芯片里的控制器会像翻书一样逐页扫描这些存储单元，把高低电平转换成二进制数字传给CPU。这个过程就像用手指逐个按开关，把每个开关的位置状态都记录下来。

为什么芯片要这样读取数据呢？因为现代存储技术都是基于电荷存储的原理。比如动态随机存取存储器（DRAM）每个单元只要1个晶体管就能存储，但需要每秒刷新20次以上保持电荷。实验数据显示，3纳米工艺的DRAM单元面积已经缩小到0.05平方微米，但电压波动会导致误读率增加。而NAND闪存通过浮栅捕获电子来存储数据，一个单元能同时存储多个电荷包，所以能实现更高的存储密度。比如三星的V-NAND闪存，一个芯片能集成256层存储单元，相当于每平方厘米能存128GB数据。这种电荷存储方式既省电又耐用，但读取时需要精确控制读取电压，否则就像用模糊的镜子看东西，容易看错数字。