阈值电压就是半导体元件从关断到导通的临界电压，不同器件数值不同。比如晶体管可能在0.5到3伏之间，二极管更小在0.6到0.7伏左右。这个范围和材料特性有关，比如硅基器件比锗基器件阈值电压高些。现在手机芯片用的MOS管阈值电压通常在1到3伏之间，而二极管因为结构简单数值更稳定。

为什么是这个数值范围呢？因为半导体材料的禁带宽度决定了击穿电压，硅的禁带宽度是1.12电子伏特，换算成电压就是约0.7伏。但实际阈值电压要更高，因为需要克服载流子迁移率和表面势垒。比如《半导体器件物理》里提到硅基MOS管阈值电压在0.5到3伏之间，具体看沟道长度和掺杂浓度。现在7nm工艺的晶体管阈值电压已经降到0.5伏以下，而3nm工艺更是低至0.3伏。不过二极管因为单向导通特性，阈值电压始终稳定在0.6到0.7伏之间，像1N4148型号的硅二极管导通电压就是0.65伏左右。所以不同器件阈值电压差异大，但都基于材料物理特性，工艺进步让数值越来越低。