首先讲讲芯片是怎么造的，总共分五步。第一步叫光刻，用超精密的镜头在硅片上刻出电路图案。第二步是蚀刻，用酸或等离子体把多余材料去掉。第三步再光刻一次，因为芯片要堆多层线路。第四步用原子层沉积技术给芯片加绝缘层。一步离子注入，用高能粒子把金属离子打进硅片里，这样线路就连上了。总共就这五步，每步都差不得分毫。

为啥是这个流程呢？光刻是关键第一步，因为现在芯片线宽不到3纳米，得用价值3.5亿欧元的EUV光刻机，光刻胶厚度得控制在0.1微米以内。蚀刻分干法湿法两种，干法用等离子体刻蚀精度更高，但设备要2000万欧元。两次光刻中间要清洗硅片，否则残留物会影响下步沉积。原子层沉积每层厚度才0.5纳米，要沉积几十层才能做完。离子注入电压得达到200千伏，才能让金属离子精准打入硅晶格。据台积电前年财报，光刻和蚀刻占总成本65%，沉积和离子注入占25%，清洗占10%。这五步环环相扣，少一步芯片就废了。比如光刻胶没涂均匀，蚀刻就会漏刻；离子注入电流不稳，线路电阻就上去了。现在最贵的光刻机是ASML的EUV，光刻胶成本占芯片总价15%，所以每片芯片光刻就要花掉2美元。