静态功耗主要分两部分：一个是关断状态下的漏电损耗，另一个是待机时的电路唤醒消耗。漏电损耗和电压平方成正比，温度每升高10度，漏电损耗翻倍。待机唤醒损耗跟电压和唤醒频率有关，比如上拉电阻的电流随电压升高而增大。

为啥是这个公式呢？先看漏电损耗，当晶体管关断时，PN结存在反向漏电流，这个电流Ileak受电压V²除以电阻R影响。比如5V供电时，漏电是5²/R；升到6V，漏电变成6²/R，直接翻倍多出17%。温度方面，结温每升10度，漏电电流指数级增长，像0℃时漏电是1μA，10℃就变成2μA，30℃可能高达8μA。待机唤醒损耗比如看门狗电路，电压每升1V，唤醒电流就涨0.5mA，频率每秒1次唤醒，功耗就是0.5mA×1V=0.5mW。实测数据：某芯片5V/85℃时漏电是3mW，待机唤醒0.2mW，总静态功耗3.2mW；升到6V/95℃，漏电变成9mW，待机0.3mW，总功耗9.3mW。所以电压和温度是静态功耗的“双刃剑”，既要压低电压省电，又要控制温度防漏电炸裂。