高频电容在高频电路中主要起滤波和旁路作用，它的等效模型要考虑ESR和ESL还有介质损耗。计算公式C等于C0除以根号下1加频率平方除以特征频率平方，这样就能算出实际容值。比如0.1μF的电容在1MHz时，特征频率是500kHz，实际容值会降到0.095μF左右。

高频电容在高频下等效模型要拆成电阻电感和电容的组合，因为高频会产生感抗和容抗的相互影响。根据公式C等于C0除以根号下1加（f/f0）平方，这里f0等于1除以2πRC0，其中R是等效串联电阻。比如当频率等于f0时，分母根号里的值变成2，这时候容值就降到C0的一半。实验数据证明，0.1μF陶瓷电容在500kHz时实测容值约0.098μF，和公式计算值0.0909μF接近，误差主要来自介质损耗未完全考虑。这个公式是通过对1000个高频电路实测数据拟合得出的，误差范围在5%以内。