有些元件在反向电压下会呈现阻值变化，比如二极管、晶体管、热敏电阻、压敏电阻和可控硅。二极管正向导通反向截止，反向电压超过击穿点会漏电；晶体管基极电流控制集电极电流，反向偏置时电流极小；热敏电阻反向接法时阻值随温度变化更明显；压敏电阻反向电压下电阻值急剧下降；可控硅反向电压时仅承受微小漏电流。

这些元件反向阻值特性源于它们的物理结构和工作原理。二极管的核心是PN结，正向偏置时载流子扩散形成导通路径，反向偏置时耗尽层阻碍载流子运动。实测数据显示，硅二极管反向饱和电流通常小于1μA（如1N4148反向电流约25nA），反向击穿电压在50-1000V之间。晶体管如2N3904，当集电极-基极电压超过-5V时，集电极电流降至微安级，反向击穿电压约-40V。热敏电阻（如MF52）在反向接法时，高温（70℃）阻值降至1kΩ，低温（10℃）升至10kΩ。压敏电阻（如VR51）反向电压超过额定值时，电阻值从10MΩ骤降至1kΩ。可控硅（如BT169）反向电压下漏电流约10μA，触发电压超过-50V后导通。这些特性使它们在整流、保护、温度检测等场景中发挥关键作用。