场效应管和三极管都是放大元件，但场效应管结构更简单，耗电少，适合做开关。IGBT是高压大电流开关，场效应管比如MOS管耐压高、导通快，能直接替代。举个例子，电源电路里用场效应管替代三极管，发热量少一半，寿命长。IGBT替代的话，场效应管开关速度比IGBT快三倍，损耗更低。

说白了，场效应管导通电阻比三极管低，比如MOSFET导通电阻0.1Ω左右，而三极管饱和电阻几Ω到几十Ω，这样功耗更低，发热少，寿命更长。IGBT替代方面，场效应管如SiC MOSFET耐压6000V以上，比传统IGBT的1200V高五倍，开关频率100kHz以上，比IGBT的20kHz快五倍。数据说话，场效应管导通压降0.2V，IGBT是1.5V，省电效果明显。不过场效应管驱动电压要10V以上，三极管才需要5V，这点得注意。模拟效果：场效应管结构简单耗电少适合做开关比如在电源电路中替代三极管效果更好IGBT替代场效应管开关速度更快更省电但驱动电压要求高。