温度升高时vce会变低vbe会变高这是因为晶体管工作状态受热影响。当温度升高时，晶体管内部载流子更活跃，导致基极电流ib增大，进而使得集电极电流ic也增大。由于ic和ib的比值固定，当温度升高时，vce=vee−icrc会降低，因为ic变大而rc不变。vbe的电压差会随着温度升高而略微下降，但因为热电压kT/q增加，实际测量中vbe会显得升高。

温度升高导致晶体管特性变化主要有两个原因。半导体材料的热电压kT/q随温度升高而增大，室温下约25mV，每升1℃增加2mV。这直接导致vbe=ekT/qlnicse会降低，因为lnicse随温度升高而减小。但实际应用中，温度每升高1℃vbe下降约2mV，而ic的指数增长特性会让vce=vee−icrc明显降低。比如当温度从25℃升到35℃时，vbe从0.7V降到0.68V，而vce可能从5V降到3V。这种变化是因为温度升高时反向饱和电流ise增大，导致基极电阻rb减小，ib增大，从而推动ic指数级上升，最终使vce被压低。