齐纳二极管反向电压下会击穿产生电流，恢复时间从几微秒到几十毫秒不等。恢复快慢跟材料有关，比如硅管在10伏电压下能快速恢复，而锗管需要更长时间。击穿时电子从价带挤到导带，形成负阻区，电场被中和后才能恢复原状。

这是因为材料特性决定了恢复速度，比如硅管掺杂浓度高，载流子迁移快，所以恢复时间短。实验数据显示硅管在20℃时恢复时间约5微秒，而锗管同为20℃下恢复时间超过100微秒。温度每升高10℃，恢复时间翻倍，比如硅管在30℃时恢复时间变成10微秒。材料缺陷也会影响，掺杂均匀的管子恢复更快，杂质多的恢复更慢。击穿后电场中和需要时间，电压越高恢复越慢，比如1.5伏击穿比3伏恢复快两倍。所以不同管子恢复时间差异大，主要看材料、温度和电压这三个因素。