开关损耗就是电路工作时电能变成热能的浪费。主要有三种：导通损耗是电流流经开关时产生的；开关损耗是电压跳变瞬间产生的；浪涌损耗是瞬态电流冲击造成的。比如开关电源里，导通损耗占60%，开关损耗占30%，浪涌损耗占10%。温度每升高10度，损耗会增加5%。

为什么是这个答案呢？因为开关损耗本质是能量转换效率问题。导通损耗和开关损耗加起来占整个损耗的90%，像12V 5A的电源，导通损耗每秒烧掉3瓦，开关损耗2.5瓦。浪涌损耗在开关动作时最明显，比如MOSFET换路时可能产生10倍额定电流的浪涌。实验数据显示，IGBT的开关损耗比MOSFET高30%，但导通损耗低20%。温度传感器发现，当结温超过150℃时，损耗会呈指数级增长。所以设计时要平衡开关频率和导通时间，比如用PWM调压时，频率每提高10Hz，开关损耗就增加1.5%。