现在手机芯片最细的工艺是3纳米，这已经算是极限了。再往细做成本太高，而且良品率也上不去。举个例子，台积电的3纳米芯片光光光刻这一步就要烧掉几十亿，普通厂家根本玩不起。再往细了做的话，晶体管密度增加带来的发热问题更严重，手机根本装不下。不过听说未来1纳米工艺可能要来了，但至少得等2030年左右。

说白了现在手机芯片卡在3纳米是因为技术瓶颈实在太多。首先光刻机越来越贵，ASML的EUV光刻机一台就要十亿，而且得专门给台积电用。其次芯片设计也要跟着升级，像苹果A17 Pro就是专门为3纳米优化的，普通厂家根本学不会。再就是散热问题，3纳米芯片发热量比5纳米高30%，手机厂商得加散热材料，这又增加了成本。比如中芯国际的N+2工艺虽然也3纳米，但良品率只有60%，比台积电的90%低太多。所以现在大家宁愿维持3纳米工艺，等台积电量产3纳米 EUV光刻机再说。