首先得用硅片当底子，光刻机照着图纸刻电路，刻完再蚀刻出纳米级沟槽，用金属线把晶体管连起来。这整个过程要在超净车间里做，温度湿度都控制得死死的，否则芯片就废了。

为啥是这个流程呢？因为光刻机是照着光刻胶的胶片一层层刻的，就像用针管打字一样。现在最先进的3nm工艺要用到极紫外光刻机，精度有0.1纳米这么高。台积电前年财报说7nm芯片良率85%，但3nm良率才50%，得烧掉20亿美金才造得出1万片。蚀刻环节要用干法或湿法，干法成本高但精度好，湿法成本低但容易留残胶。光刻胶要涂得薄如蝉翼，0.5微米厚的胶片偏差超过0.1微米就废了。这些数据说明为什么得按这个流程来，稍微差一点就前功尽弃。