氮化镓的频率高是因为它的材料结构特殊，电子在里面的运动速度比硅快，而且能承受更高的电压和电流。比如5G手机里用的氮化镓芯片，工作频率能达到几百GHz，比普通硅基芯片高好几倍。

氮化镓的晶体结构是六方对称的，原子排列紧密，这样电子在移动时遇到的阻力小，所以能快速响应高频信号。数据上，氮化镓的电子迁移率比硅高2到3倍，击穿场强达到6MV/cm，而硅只有3MV/cm。比如在雷达系统中，氮化镓器件能让信号频率从10GHz提升到100GHz，同时功耗降低30%。而且它的导热性比硅好，长时间工作也不容易发热。不过要注意，虽然氮化镓性能好，但成本比硅高5到10倍，所以现在主要用在高端手机、电动汽车和卫星通信里。