首先得把硅单晶拉出来洗得干干净净，然后用光刻胶在硅片上画出晶体管电路图，接着用激光或电子束精准刻出沟槽，再往沟槽里注入磷或硼离子改变电性，用金属层连接各部分。整个过程就像先用橡皮泥捏出形状，再用刀划出缝隙，填入不同颜色的粉末调整导电性。

为什么是这个流程呢？因为光刻技术决定了晶体管尺寸，目前7纳米工艺需要193纳米波长紫外光刻机，刻蚀精度误差不能超过0.1微米。离子注入时电压要控制在150-200伏特，才能让磷离子精准嵌入硅晶格，掺杂浓度每平方厘米需1e16到1e18个原子，这样源漏极才能形成可控的导电通道。比如台积电3纳米制程光刻机需要经过4次多重曝光，每次光刻后都要用去除残留光刻胶，这相当于在头发丝上刻出头发丝粗细的电路。扩散工艺温度必须恒定在1000度左右，偏差超过5度就会让掺杂浓度出现3%误差，影响晶体管开关速度。金属化层要用铜线而不是铝线，因为铜的导电率比铝高40%，但铜会与硅反应，所以得用钛硅层做隔离。测试环节每片晶圆要检测超过2000个晶体管，不良率必须低于0.1%，这相当于每10万片芯片只能有1片报废。