MOS低就是金属氧化物半导体材料的阈值电压不够低。简单说就像水龙头拧太小了，电流流动不顺畅。处理办法主要有两种：一是换更薄的二氧化硅膜，这样电压就能降到0.3伏以下；二是掺杂更多磷原子，让开启电压从1.2伏降到0.8伏。比如在高温下，漏电电流可能增加三倍，这会降低设备寿命。

为什么得这样处理呢？因为MOS的阈值电压和二氧化硅厚度成反比，每减少0.1纳米厚度，电压就能降0.1伏。实验数据显示，当厚度从5纳米降到3纳米时，漏电电流从1毫安降到0.3毫安。同时掺杂浓度每增加10^18/cm³，阈值电压就下降0.05伏。比如在28纳米工艺中，采用双栅极结构后，漏电电流比单栅极降低60%。但要注意，电压过低会导致开关功耗增加，所以得平衡性能和功耗。比如在5纳米工艺里，电压已经降到0.15伏，但漏电电流反而比7纳米工艺高两倍，这就需要用新型高k金属栅极来补偿。