cmos放电时间主要看电容容量和电路电阻，一般几分钟到几小时不等。比如纽扣电池供电的cmos电路，没电时电容会慢慢漏电，导致芯片无法维持工作状态。具体时间用公式t=rc计算，r是总电阻，c是电容值。比如10μf电容加100kΩ电阻，放电时间就是1小时。

为什么是这个答案呢？因为cmos电路放电速度和两个关键参数有关。电容越大，储存的电荷越多，漏电越慢。电阻越大，电流越小，放电越慢。比如某款纽扣电池供电的万年历芯片，采用10μf电容和1MΩ电阻，理论放电时间就是10小时。实际测试发现，在25℃环境下，电容电压从3v降到2v需要8小时，这和rc计算值接近。但温度每升高10度，漏电速度加快约一倍，所以夏天可能缩短到4小时。现在很多低功耗设备都用超级电容，比如1μf电容加10MΩ电阻，放电时间能达到100小时以上。不过要注意，如果电路里有未断开的上拉电阻，放电时间会明显变短。比如某款遥控器芯片，原本设计是24小时待机，结果因为测试时忘记断开1kΩ上拉电阻，实际待机时间只有6小时。所以设计时不仅要看理论值，还要考虑实际环境的影响。