霍尔电场短路就是让电荷积累的两侧导通，这样原本积累的电荷跑掉啦，霍尔电压就变小了。半导体的载流子少，跑得快，所以霍尔电场更容易被短路，导致霍尔电压变化更明显。

霍尔效应在半导体中更显著，因为半导体的载流子浓度低，迁移率高。比如硅的电子迁移率约1400 cm²/(V·s)，而金属如铜的迁移率约6000 cm²/(V·s)。当电流流过时，半导体中电荷更容易被磁场偏转，形成更强的横向电场。不过如果霍尔电场被短路，电荷就会立刻导走，导致电压差降低。实验数据显示，半导体器件的霍尔电压比金属器件高3到5倍，比如锗的霍尔系数是2.3×10^-9 m³/C，而铜的霍尔系数是-9.7×10^-11 m³/C。这种差异让半导体更容易检测到霍尔效应，但短路后电压变化反而更剧烈，因为载流子少，电荷移动更受限制。