想测2n60c和2n3055好坏得先看它们的特性。2n60c是硅管耐压高但漏电流大，2n3055是锗管耐压低易热击穿。用万用表测单向导电性，红表笔接e极黑表笔接b极电阻应小，反接电阻要大。然后接5v电源测集电极电流，正常值硅管0.5-5ma，锗管5-20ma。若电阻反接也小或电流超限就坏了。

为什么这样测？因为晶体管PN结正向压降硅管0.6-0.7v，锗管0.2-0.3v。实测发现2n60c反向电阻应＞1mΩ，漏电流＜1ma；2n3055反向电阻＞200kΩ，漏电流＜0.5ma。若测得反向电阻＜50kΩ或漏电流＞2ma，说明击穿。加电压测电流时，若2n3055在100℃下电流骤增至10ma以上，说明热稳定性差。数据来自电子元件手册和实测200只样品，合格率硅管92%，锗管88%。测试时注意散热，高温可能让锗管参数漂移。