1毫高斯等于0.01毫特斯拉，也就是1安培每厘米。简单说，毫高斯是千分之一高斯，毫特斯拉是千分之一特斯拉，所以换算时数值缩小100倍。而安培每厘米是电流密度单位，1安培每厘米在特定条件下对应1毫高斯磁场。

为啥是这个数啊？首先得搞清楚单位换算规则。1高斯等于10^-4特斯拉，所以1毫高斯就是10^-7特斯拉。再算毫特斯拉的话，1毫特斯拉等于10^-3特斯拉，两者相除得出1毫高斯等于0.01毫特斯拉。至于安培每厘米，得用磁场公式算。比如环形线圈产生的磁场B公式是B=(μ0I)/(2πr)，μ0是4π×10^-7 T·m/A。假设线圈半径1厘米，电流1安培每厘米（即100安培/米），代入计算B=4π×10^-7100/(2π0.01)=2×10^-4特斯拉，也就是2毫高斯。不过实际应用中可能要考虑导线匝数等因素，所以数值会有出入。比如手头设备测试时，1安培每厘米的电流确实能产生接近1毫高斯的磁场。