晶圆上做电阻得先把硅片切成小圆片洗干净，接着用磷离子轰击硅片让某些区域导电性变差变成电阻。然后用光刻胶把电阻形状印出来，接着用化学药水把多余硅片刻掉，用金属层把电阻包起来测阻值。整个过程要控制温度在80度左右，掺杂浓度得精准到500ppm才能让电阻率到0.1Ω·cm。

为啥得这么干呢？首先硅片本身电阻率太高，必须通过掺杂改变导电性。比如掺入500ppm磷原子能让电阻率降到0.1Ω·cm（数据来源《半导体制造工艺学》），这比纯硅低两个数量级。光刻精度得做到0.1μm才能保证电阻形状误差小于5%，刻蚀时间控制在30秒内避免硅片过薄断裂。测试时用探针台每片测200个点，合格率才能超过99.5%。模拟效果：切割硅片洗洁净，接着用磷离子轰击，让某些区域变差，变成电阻形状。刻掉多余硅片，包金属层测阻值，控制温度在80度左右，掺杂浓度500ppm，电阻率0.1Ω·cm，光刻精度0.1μm，测试200个点，合格率99.5%。