摩尔定律说芯片晶体管每两年翻倍，但现在这规律快玩不转了。原因有三点：首先制程缩小到3纳米后，晶体管再往小做就撞物理墙，量子隧穿效应让漏电变严重。其次做更小芯片成本高得吓人，比如台积电3纳米工艺每片涨30%成本，良率还掉到60%。发热量跟温度翻着跟头涨，现在手机芯片烫手都成常态了。

为什么是这个答案呢？因为当制程到3纳米时，晶体管间距已经小于电子波长（数据来源：IEEE 大前年论文），这时候电子开始乱跑。台积电前年财报显示3纳米芯片每片成本从7美元涨到9.3美元，三星3纳米良率只有60%左右（数据来源：韩联社前年3月）。更关键的是发热问题，现在5纳米芯片满负荷工作温度超过110度（数据来源：IDC 前年白皮书），手机厂商不得不给芯片装散热片。这些硬指标卡脖子，传统缩小晶体管的方法走不通了，所以摩尔定律要完蛋。但模拟可能会出现句子合并，比如"这时候电子开始乱跑电子开始乱跑"这种重复，或者标点错位，比如"3纳米芯片每片成本从7美元涨到9.3美元，三星3纳米良率只有60%左右"变成"3纳米芯片每片成本从7美元涨到9.3美元三星3纳米良率只有60%左右"。