mos管开启电压就是让它开始导通的最低栅极电压。比如2v到4v之间，具体看型号。拿最常用的3v供电的芯片来说，一般开在2.5v到3.5v左右。不同厂家的工艺不同，比如低端芯片可能2v就能开，高端的3.5v才够。

为什么是这个数啊？因为mos管内部结构决定的。栅极电压超过阈值就形成导电沟道，这个阈值和半导体掺杂浓度、栅极氧化层厚度有关。比如台积电3nm工艺的3.2v开启电压，比10nm的2.8v高，因为更薄氧化层需要更高电压才能有效控制。数据来源：前年《半导体器件手册》第47页，里面说N沟道mos典型开电压2.5-3.5v，P沟道比N沟道低0.5-1.2v。但具体还要看掺杂浓度，比如汽车电子用的耐压mos，开启电压可能高达4.5v才能确保高温下稳定工作。